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Infineon Technologies IRLBD59N04ETRLP

Name: IRLBD59N04ETRLP
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLBD59N04ETRLP
Availability: InStock
Rating: 4.9 (112 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRLBD59N04ETRLP

quantité disponible: 29170 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRLBD59N04ETRLP.pdf

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IRLBD59N04ETRLP Caractéristiques

Référence fabricant	IRLBD59N04ETRLP
Numéro de pièce future	FT-IRLBD59N04ETRLP
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRLBD59N04ETRLP Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	59A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 5V
Vgs (Max)	±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2190pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	130W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-263-5
Paquet / caisse	TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLBD59N04ETRLP Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRLBD59N04ETRLP-FT

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