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Infineon Technologies IRLBD59N04ETRLP

Numéro de pièce MFG
IRLBD59N04ETRLP
quantité disponible
29170 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRLBD59N04ETRLP Caractéristiques

Référence fabricant IRLBD59N04ETRLP
Numéro de pièce future FT-IRLBD59N04ETRLP
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRLBD59N04ETRLP Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 59A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 5V
Vgs (Max) ±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2190pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 130W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-263-5
Paquet / caisse TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLBD59N04ETRLP Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRLBD59N04ETRLP-FT

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