maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTV30N50P
Référence fabricant | IXTV30N50P |
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Numéro de pièce future | FT-IXTV30N50P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PolarHV™ |
IXTV30N50P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 70nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4150pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 460W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PLUS220 |
Paquet / caisse | TO-220-3, Short Tab |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTV30N50P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTV30N50P-FT |
IXFT26N50Q TR
IXYS
IXFT40N30Q TR
IXYS
IXFT52N30Q TRL
IXYS
IXFT58N20Q TRL
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IXFT74N20Q
IXYS
IXFV110N10P
IXYS
IXFV110N10PS
IXYS
IXFV12N120P
IXYS
IXFV12N120PS
IXYS
IXFV12N80P
IXYS
XCV50-6TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-256HC-4SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K100ABC600-1
Intel
5SGXMA5K1F40C2LN
Intel
XC4013E-2HQ208I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation