maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTT30N60P
Référence fabricant | IXTT30N60P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXTT30N60P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PolarHV™ |
IXTT30N60P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 30A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5050pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 540W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-268 |
Paquet / caisse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTT30N60P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTT30N60P-FT |
IXFK80N15Q
IXYS
IXFK80N20
IXYS
IXFK80N20Q
IXYS
IXFK88N20Q
IXYS
IXFK90N20
IXYS
IXFK90N30
IXYS
IXFL55N50
IXYS
IXTB30N100L
IXYS
IXTK110N30
IXYS
IXTK120N25
IXYS
LCMXO256C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
XC2V1500-6BGG575C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901I
Xilinx Inc.
XC5VTX150T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N2F45I2SG
Intel
EP2AGX190EF29I5
Intel