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IXTB30N100L Image

IXYS IXTB30N100L

Numéro de pièce MFG
IXTB30N100L
quantité disponible
82310 Pièces
Prix de référence
USD 34.4576
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
- MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS264
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXTB30N100L.pdf
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IXTB30N100L Caractéristiques

Référence fabricant IXTB30N100L
Numéro de pièce future FT-IXTB30N100L
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IXTB30N100L Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450 mOhm @ 500mA, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 545nC @ 20V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 13200pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 800W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur PLUS264™
Paquet / caisse TO-264-3, TO-264AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTB30N100L Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXTB30N100L-FT

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