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IXYS IXTR200N10P

Name: IXTR200N10P
Brand: IXYS
SKU: IXTR200N10P
Price: 8.362136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (744 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXTR200N10P

quantité disponible: 21200 Pièces

Prix de référence: USD 8.362136

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: HiPerFET™, PolarP2™ MOSFET N-CH 100V 120A ISOPLUS247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXTR200N10P.pdf

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IXTR200N10P Caractéristiques

Référence fabricant	IXTR200N10P
Numéro de pièce future	FT-IXTR200N10P
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™, PolarP2™
IXTR200N10P Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	235nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7600pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	ISOPLUS247™
Paquet / caisse	ISOPLUS247™
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTR200N10P Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXTR200N10P-FT

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