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IXTL2N470 Image

IXYS IXTL2N470

Numéro de pièce MFG
IXTL2N470
quantité disponible
52890 Pièces
Prix de référence
USD 55.8848
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
- MOSFET N-CH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXTL2N470.pdf
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IXTL2N470 Caractéristiques

Référence fabricant IXTL2N470
Numéro de pièce future FT-IXTL2N470
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IXTL2N470 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 4700V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 180nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6860pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 220W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur ISOPLUSi5-Pak™
Paquet / caisse ISOPLUSi5-Pak™
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTL2N470 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXTL2N470-FT

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