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IXYS IXFJ20N85X

Numéro de pièce MFG
IXFJ20N85X
quantité disponible
19740 Pièces
Prix de référence
USD 7.464
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
HiPerFET™ MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXFJ20N85X.pdf
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IXFJ20N85X Caractéristiques

Référence fabricant IXFJ20N85X
Numéro de pièce future FT-IXFJ20N85X
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HiPerFET™
IXFJ20N85X Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 850V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 9.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 63nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1660pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 110W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur ISO TO-247-3
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFJ20N85X Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXFJ20N85X-FT

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