maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTN32P60P
Référence fabricant | IXTN32P60P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXTN32P60P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PolarP™ |
IXTN32P60P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 32A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 196nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11100pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 890W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTN32P60P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTN32P60P-FT |
IXFH8N80
IXYS
IXFH9N80Q
IXYS
IXTN60N50L2
IXYS
IXFN230N10
IXYS
IXFN80N50P
IXYS
IXFN180N10
IXYS
IXFN360N15T2
IXYS
IXFN230N20T
IXYS
IXFN48N50
IXYS
IXFN110N60P3
IXYS
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel