maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTK140N30P
Référence fabricant | IXTK140N30P |
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Numéro de pièce future | FT-IXTK140N30P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Polar™ |
IXTK140N30P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 300V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 140A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24 mOhm @ 70A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 500µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 185nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 14800pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-264 (IXTK) |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTK140N30P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTK140N30P-FT |
APT40M70JVFR
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APT40M75JN
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M1A3P250-1PQG208I
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EP3C80F484C7N
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10M50SCE144C8G
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LCMXO2-7000HC-4BG256I
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EP1S80F1508C6
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