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IXYS IXTH48N65X2

Numéro de pièce MFG
IXTH48N65X2
quantité disponible
73100 Pièces
Prix de référence
USD 5.68
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
- MOSFET N-CH 650V 48A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IXTH48N65X2 Caractéristiques

Référence fabricant IXTH48N65X2
Numéro de pièce future FT-IXTH48N65X2
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IXTH48N65X2 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 48A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4420pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 660W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-247
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTH48N65X2 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXTH48N65X2-FT

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