maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTB62N50L
Référence fabricant | IXTB62N50L |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXTB62N50L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXTB62N50L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 62A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 31A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 550nC @ 20V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11500pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 800W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PLUS264™ |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTB62N50L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTB62N50L-FT |
APT58M50JCU3
Microsemi Corporation
APT58MJ50J
Microsemi Corporation
APT60M75JVFR
Microsemi Corporation
APT60M80JVR
Microsemi Corporation
APT70SM70J
Microsemi Corporation
APT8014JLL
Microsemi Corporation
APT8018JN
Microsemi Corporation
APT8024JLL
Microsemi Corporation
APT80SM120J
Microsemi Corporation
JANTX2N6804
Microsemi Corporation
A1020B-VQG80I
Microsemi Corporation
XC6VLX75T-L1FFG484I
Xilinx Inc.
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE75F23C8L
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation
EP20K400ERC240-1
Intel
EPF10K10QI208-4
Intel
EPF10K30AQC208-3N
Intel