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IXTA3N150HV Image

IXYS IXTA3N150HV

Numéro de pièce MFG
IXTA3N150HV
quantité disponible
63320 Pièces
Prix de référence
USD 5.576
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
- MOSFET N-CH 1500V 3A TO-263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXTA3N150HV.pdf
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IXTA3N150HV Caractéristiques

Référence fabricant IXTA3N150HV
Numéro de pièce future FT-IXTA3N150HV
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IXTA3N150HV Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 1500V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.3 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38.6nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1375pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-263
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA3N150HV Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXTA3N150HV-FT

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