maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTA3N100D2HV
Référence fabricant | IXTA3N100D2HV |
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Numéro de pièce future | FT-IXTA3N100D2HV |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXTA3N100D2HV Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1000V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3A (Tj) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 1.5A, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 37.5nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1020pF @ 25V |
Caractéristique FET | Depletion Mode |
Dissipation de puissance (max) | 125W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263HV |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTA3N100D2HV Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTA3N100D2HV-FT |
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