maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTC280N055T
Référence fabricant | IXTC280N055T |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXTC280N055T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchMV™ |
IXTC280N055T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 55V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 145A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 200nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9800pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 160W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS220™ |
Paquet / caisse | ISOPLUS220™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTC280N055T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTC280N055T-FT |
IXTN30N100L
IXYS
IXFN94N50P2
IXYS
IXFN110N85X
IXYS
IXFN32N100Q3
IXYS
IXTN550N055T2
IXYS
IXFE180N10
IXYS
IXFE180N20
IXYS
IXFE23N100
IXYS
IXFE24N100
IXYS
IXFE34N100
IXYS
XC2S200-5FGG456I
Xilinx Inc.
AX1000-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F672I7
Intel
XC7VX980T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX16-PQG160I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-5BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-7FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40I3SG
Intel