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IXYS IXTA2N100

Name: IXTA2N100
Brand: IXYS
SKU: IXTA2N100
Price: 2.556 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (322 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXTA2N100

quantité disponible: 33710 Pièces

Prix de référence: USD 2.556

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: - MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXTA2N100.pdf

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IXTA2N100 Caractéristiques

Référence fabricant	IXTA2N100
Numéro de pièce future	FT-IXTA2N100
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
IXTA2N100 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	825pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	100W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-263 (IXTA)
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA2N100 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXTA2N100-FT

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