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IXYS IXFA7N100P

Numéro de pièce MFG
IXFA7N100P
quantité disponible
79020 Pièces
Prix de référence
USD 3.11408
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
HiPerFET™, PolarP2™ MOSFET N-CH 1000V 7A D2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IXFA7N100P Caractéristiques

Référence fabricant IXFA7N100P
Numéro de pièce future FT-IXFA7N100P
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HiPerFET™, PolarP2™
IXFA7N100P Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 6V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2590pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-263 (IXFA)
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFA7N100P Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXFA7N100P-FT

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