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IXYS IXTA1N170DHV

Numéro de pièce MFG
IXTA1N170DHV
quantité disponible
54040 Pièces
Prix de référence
USD 9.16128
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
- MOSFET N-CH 1700V 1A TO-263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXTA1N170DHV.pdf
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IXTA1N170DHV Caractéristiques

Référence fabricant IXTA1N170DHV
Numéro de pièce future FT-IXTA1N170DHV
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IXTA1N170DHV Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 1700V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 47nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3090pF @ 25V
Caractéristique FET Depletion Mode
Dissipation de puissance (max) 290W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-263
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA1N170DHV Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXTA1N170DHV-FT

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