maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTA18P10T
Référence fabricant | IXTA18P10T |
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Numéro de pièce future | FT-IXTA18P10T |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | TrenchP™ |
IXTA18P10T Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 18A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±15V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 83W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263 (IXTA) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTA18P10T Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTA18P10T-FT |
MIC94052BC6-TR
Microchip Technology
MIC94053BC6-TR
Microchip Technology
STSJ60NH3LL
STMicroelectronics
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LSIC1MO170E1000
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LSIC1MO120E0120
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LSIC1MO120E0080
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LCMXO2-640HC-4SG48C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG144
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XC6SLX75T-4FGG484C
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
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MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A40MX04-FPL68
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AGLN250V5-VQ100I
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5SGXMA7N2F45C3N
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LFXP6E-3Q208C
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5SGSMD4H3F35C4N
Intel