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IXYS IXTA18P10T

Numéro de pièce MFG
IXTA18P10T
quantité disponible
60190 Pièces
Prix de référence
USD 1.36
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
TrenchP™ MOSFET P-CH 100V 18A TO-263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXTA18P10T.pdf
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IXTA18P10T Caractéristiques

Référence fabricant IXTA18P10T
Numéro de pièce future FT-IXTA18P10T
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries TrenchP™
IXTA18P10T Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
Vgs (Max) ±15V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2100pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 83W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-263 (IXTA)
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA18P10T Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXTA18P10T-FT

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