maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXSX80N60B
Référence fabricant | IXSX80N60B |
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Numéro de pièce future | FT-IXSX80N60B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXSX80N60B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | PT |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 160A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 300A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 80A |
Puissance - Max | 500W |
Énergie de commutation | 4.2mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 240nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 60ns/140ns |
Condition de test | 480V, 80A, 2.7 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | PLUS247™-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXSX80N60B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXSX80N60B-FT |
IXGA42N30C3
IXYS
IXGA48N60A3
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XC3030L-8VQ64C
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Xilinx Inc.
A54SX32A-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484I6G
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10M08DCF256C8G
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LFE2-50E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40I2SGES
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