maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXYA20N65C3D1
Référence fabricant | IXYA20N65C3D1 |
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Numéro de pièce future | FT-IXYA20N65C3D1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | XPT™, GenX3™ |
IXYA20N65C3D1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 50A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 105A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 20A |
Puissance - Max | 200W |
Énergie de commutation | 430µJ (on), 650µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 30nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 19ns/80ns |
Condition de test | 400V, 20A, 20 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 34ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXYA20N65C3D1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXYA20N65C3D1-FT |
NGTB40N60FL2WG
ON Semiconductor
NGTB40N60FLWG
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