maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXSX50N60BU1
Référence fabricant | IXSX50N60BU1 |
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Numéro de pièce future | FT-IXSX50N60BU1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXSX50N60BU1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 75A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 200A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 50A |
Puissance - Max | 300W |
Énergie de commutation | 3.3mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 167nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 70ns/150ns |
Condition de test | 480V, 50A, 2.7 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | PLUS247™-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXSX50N60BU1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXSX50N60BU1-FT |
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A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
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Microchip Technology
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Xilinx Inc.
AGLN060V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2L
Intel
XC6VLX365T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
LFXP20E-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K400CB652I8ES
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EP20K300EQC240-2X
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