maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXRFSM18N50
Référence fabricant | IXRFSM18N50 |
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Numéro de pièce future | FT-IXRFSM18N50 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SMPD |
IXRFSM18N50 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 19A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 340 mOhm @ 9.5A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2250pF @ 400V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 835W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 16-SMPD |
Paquet / caisse | 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXRFSM18N50 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXRFSM18N50-FT |
IXTF280N055T
IXYS
IXTF250N075T
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IXTF230N085T
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IXTF200N10T
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LFXP6E-3TN144C
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