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IXRFSM12N100 Image

IXYS-RF IXRFSM12N100

Numéro de pièce MFG
IXRFSM12N100
quantité disponible
87440 Pièces
Prix de référence
USD 19.776
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS-RF
Brève description
SMPD 2A 1000V MOSFET IN SMPD PACKAGE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXRFSM12N100.pdf
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IXRFSM12N100 Caractéristiques

Référence fabricant IXRFSM12N100
Numéro de pièce future FT-IXRFSM12N100
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries SMPD
IXRFSM12N100 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05 Ohm @ 6A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 77nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2875pF @ 800V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 940W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 16-SMPD
Paquet / caisse 16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXRFSM12N100 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXRFSM12N100-FT

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