maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXKP13N60C5M
Référence fabricant | IXKP13N60C5M |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXKP13N60C5M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IXKP13N60C5M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 440µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 100V |
Caractéristique FET | Super Junction |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220ABFP |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXKP13N60C5M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXKP13N60C5M-FT |
IPA60R600CPXKSA1
Infineon Technologies
IPA65R099C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R110CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPA65R150CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPA65R190C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R190E6XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R280C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R310CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPA65R380C6XKSA1
Infineon Technologies
IPA65R420CFDXKSA1
Infineon Technologies