maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFT58N20
Référence fabricant | IXFT58N20 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXFT58N20 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFT58N20 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 58A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 mOhm @ 29A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 220nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4400pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-268 |
Paquet / caisse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFT58N20 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFT58N20-FT |
IXTK46N50L
IXYS
IXTK62N25
IXYS
IXTK75N30
IXYS
IXTK80N25
IXYS
IXTK88N30P
IXYS
IXTK90N15
IXYS
IXTT16N20D2
IXYS
IXTT2N170D2
IXYS
IXTT16P60P
IXYS
IXTT30N60L2
IXYS
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel