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IXYS IXTT2N170D2

Numéro de pièce MFG
IXTT2N170D2
quantité disponible
41200 Pièces
Prix de référence
USD 15.256
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
- MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXTT2N170D2.pdf
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IXTT2N170D2 Caractéristiques

Référence fabricant IXTT2N170D2
Numéro de pièce future FT-IXTT2N170D2
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IXTT2N170D2 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 1700V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3650pF @ 25V
Caractéristique FET Depletion Mode
Dissipation de puissance (max) 568W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-268
Paquet / caisse TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTT2N170D2 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXTT2N170D2-FT

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