maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTT2N170D2
Référence fabricant | IXTT2N170D2 |
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Numéro de pièce future | FT-IXTT2N170D2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXTT2N170D2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1700V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2A (Tj) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 Ohm @ 1A, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 3650pF @ 25V |
Caractéristique FET | Depletion Mode |
Dissipation de puissance (max) | 568W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-268 |
Paquet / caisse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTT2N170D2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTT2N170D2-FT |
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IXFK88N30P
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LFXP6E-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX16-N3FTG256C
Xilinx Inc.
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M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
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LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
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