maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFR64N50P
Référence fabricant | IXFR64N50P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXFR64N50P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFR64N50P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 35A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 32A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8700pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS247™ |
Paquet / caisse | ISOPLUS247™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFR64N50P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFR64N50P-FT |
IXFX26N60Q
IXYS
IXFX26N90
IXYS
IXFX30N100Q2
IXYS
IXFX30N110P
IXYS
IXFX30N50Q
IXYS
IXFX32N50
IXYS
IXFX32N50Q
IXYS
IXFX38N80Q2
IXYS
IXFX44N50Q
IXYS
IXFX44N55Q
IXYS
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel