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IXYS IXFN66N85X

Name: IXFN66N85X
Brand: IXYS
SKU: IXFN66N85X
Price: 26.24 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (594 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFN66N85X

quantité disponible: 57350 Pièces

Prix de référence: USD 26.24

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: HiPerFET™ 850V/65A ULTRA JUNCTION X-CLASS

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFN66N85X.pdf

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IXFN66N85X Caractéristiques

Référence fabricant	IXFN66N85X
Numéro de pièce future	FT-IXFN66N85X
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™
IXFN66N85X Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	850V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	65A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	230nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8900pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	830W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur	SOT-227B
Paquet / caisse	SOT-227-4, miniBLOC
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFN66N85X Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFN66N85X-FT

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