maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFH13N90
Référence fabricant | IXFH13N90 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXFH13N90 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFH13N90 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 900V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 13A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD (IXFH) |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH13N90 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFH13N90-FT |
IXFH56N30X3
IXYS
IXFH22N50P
IXYS
IXFH26N50P3
IXYS
IXFH150N25X3
IXYS
IXFH6N100Q
IXYS
IXFH52N30Q
IXYS
IXFH21N50
IXYS
IXFH42N60P3
IXYS
IXFH76N07-12
IXYS
IXFH30N85X
IXYS
A3P060-1TQ144I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EFI484-2
Intel
5SGXEA4K1F35C2N
Intel
ICE40UL1K-CM36AI
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP6C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
10AX016E3F27I1HG
Intel