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Référence fabricant | IXFH52N30Q |
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Numéro de pièce future | FT-IXFH52N30Q |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFH52N30Q Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 300V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 52A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 4mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5300pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 360W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD (IXFH) |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH52N30Q Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFH52N30Q-FT |
IXTT140N10P
IXYS
IXFQ23N60Q
IXYS
IXFT10N100
IXYS
IXFT120N15P
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IXFT12N100
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IXFT12N100Q
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IXFT12N90Q
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IXFT13N100
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IXFT13N80Q
IXYS
IXFT14N100
IXYS
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel