maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFJ80N25X3
Référence fabricant | IXFJ80N25X3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXFJ80N25X3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFJ80N25X3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 44A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 40A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 83nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5430pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 104W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | ISO TO-247-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFJ80N25X3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFJ80N25X3-FT |
IXTN17N120L
IXYS
IXTN200N10T
IXYS
IXTN210P10T
IXYS
IXTN240N075L2
IXYS
IXTN32P60P
IXYS
IXTN8N150L
IXYS
IXTN90P20P
IXYS
IXFN80N50
IXYS
IXFN220N20X3
IXYS
IXFN170N10
IXYS
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel