maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFH70N30Q3
Référence fabricant | IXFH70N30Q3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXFH70N30Q3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFH70N30Q3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 300V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 70A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 4mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 98nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4735pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 830W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD (IXFH) |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH70N30Q3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFH70N30Q3-FT |
IXFH42N20
IXYS
IXFH16N120P
IXYS
IXFH80N65X2
IXYS
IXFH50N20
IXYS
IXFH12N100
IXYS
IXFH75N10
IXYS
IXFH13N80
IXYS
IXFH340N075T2
IXYS
IXFH72N30X3
IXYS
IXFH50N30Q3
IXYS
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel