maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFH16N120P
Référence fabricant | IXFH16N120P |
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Numéro de pièce future | FT-IXFH16N120P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFH16N120P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6900pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 660W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD (IXFH) |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH16N120P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFH16N120P-FT |
IXTT140P10T
IXYS
IXTT16N10D2
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XCS40-4BG256C
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Xilinx Inc.
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LFXP2-8E-6FTN256I
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LFEC33E-3FN484C
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