maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFH100N30X3
Référence fabricant | IXFH100N30X3 |
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Numéro de pièce future | FT-IXFH100N30X3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFH100N30X3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 300V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 122nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7.66nF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 480W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH100N30X3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFH100N30X3-FT |
IXTT26N60P
IXYS
IXTT2N300P3HV
IXYS
IXTT30N50L
IXYS
IXTT30N50P
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IXTT30N60P
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A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
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5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
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EP4CGX15BF14I7N
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XC2VP7-6FF672I
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LFE3-150EA-6FN1156I
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