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Référence fabricant | IXFB70N60Q2 |
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Numéro de pièce future | FT-IXFB70N60Q2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFB70N60Q2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 70A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 88 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 265nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 12000pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 890W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PLUS264™ |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFB70N60Q2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFB70N60Q2-FT |
APT31N80JC3
Microsemi Corporation
APT32M80J
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APT33N90JCCU2
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APT33N90JCCU3
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APT33N90JCU3
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APT38M50J
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APT40M35JVFR
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APT40M42JN
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APT40M70JVFR
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LCMXO2-640HC-6TG100I
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XA3S400A-4FTG256I
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A54SX72A-1FG484M
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A3P250-1FG256
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ICE40UP3K-UWG30ITR1K
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EP4SE530H35C4N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG144T
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C7
Intel