maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFB60N80P
Référence fabricant | IXFB60N80P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXFB60N80P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™, PolarHT™ |
IXFB60N80P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 60A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 30A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 8mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 18000pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1250W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PLUS264™ |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFB60N80P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFB60N80P-FT |
APT33N90JCCU3
Microsemi Corporation
APT33N90JCU2
Microsemi Corporation
APT33N90JCU3
Microsemi Corporation
APT38M50J
Microsemi Corporation
APT40M35JVFR
Microsemi Corporation
APT40M42JN
Microsemi Corporation
APT40M70JVFR
Microsemi Corporation
APT40M75JN
Microsemi Corporation
APT45M100J
Microsemi Corporation
APT5012JN
Microsemi Corporation
XA3S500E-4FTG256I
Xilinx Inc.
XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BGG456M
Microsemi Corporation
A54SX16A-FGG256I
Microsemi Corporation
AT40K20-2AQC
Microchip Technology
EP2S30F672C4
Intel
10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
Microsemi Corporation
EP4CGX22CF19C6N
Intel