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IXYS IXFA8N85XHV

Name: IXFA8N85XHV
Brand: IXYS
SKU: IXFA8N85XHV
Price: 2.16 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (323 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFA8N85XHV

quantité disponible: 79080 Pièces

Prix de référence: USD 2.16

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: HiPerFET™ MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFA8N85XHV.pdf

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IXFA8N85XHV Caractéristiques

Référence fabricant	IXFA8N85XHV
Numéro de pièce future	FT-IXFA8N85XHV
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™
IXFA8N85XHV Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	850V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	654pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	200W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-263HV
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFA8N85XHV Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFA8N85XHV-FT

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