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IXYS IXFA3N120

Name: IXFA3N120
Brand: IXYS
SKU: IXFA3N120
Price: 4.37888 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (269 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFA3N120

quantité disponible: 91790 Pièces

Prix de référence: USD 4.37888

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: HiPerFET™ MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFA3N120.pdf

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IXFA3N120 Caractéristiques

Référence fabricant	IXFA3N120
Numéro de pièce future	FT-IXFA3N120
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™
IXFA3N120 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	1200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1050pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	200W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	TO-263 (IXFA)
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFA3N120 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFA3N120-FT

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