maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFA230N075T2-7
Référence fabricant | IXFA230N075T2-7 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXFA230N075T2-7 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ |
IXFA230N075T2-7 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 75V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 230A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 178nC @ 10V |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 10500pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 480W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263-7 (IXTA..7) |
Paquet / caisse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFA230N075T2-7 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFA230N075T2-7-FT |
BSL716SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL802SNH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSL802SNL6327HTSA1
Infineon Technologies
PMN15UN,115
NXP USA Inc.
PMN20EN,115
NXP USA Inc.
PMN22XN,115
NXP USA Inc.
PMN230ENEX
Nexperia USA Inc.
PMN23UN,135
NXP USA Inc.
PMN23UN,165
NXP USA Inc.
PMN25EN,115
NXP USA Inc.
A54SX16A-2TQ144I
Microsemi Corporation
XC3S400-4FG320I
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484I
Xilinx Inc.
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
5SGSMD8N3F45I3N
Intel
5SGXMA4H3F35I4N
Intel
XC5VLX155-2FFG1760C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-2FFG784I
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation