maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXBX75N170
Référence fabricant | IXBX75N170 |
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Numéro de pièce future | FT-IXBX75N170 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | BIMOSFET™ |
IXBX75N170 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 200A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 580A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 75A |
Puissance - Max | 1040W |
Énergie de commutation | - |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 350nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | - |
Condition de test | - |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.5µs |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | PLUS247™-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBX75N170 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXBX75N170-FT |
NGTB03N60R2DT4G
ON Semiconductor
NGTB05N60R2DT4G
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NGTB10N60R2DT4G
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A1010B-PL68C
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