maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Modules / IXBN75N170A
Référence fabricant | IXBN75N170A |
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Numéro de pièce future | FT-IXBN75N170A |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | BIMOSFET™ |
IXBN75N170A Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Configuration | Single |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 75A |
Puissance - Max | 625W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 6V @ 15V, 42A |
Courant - Coupure Collecteur (Max) | 50µA |
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce | 7.4nF @ 25V |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | No |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBN75N170A Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXBN75N170A-FT |
MUBW25-12A7
IXYS
MUBW25-12T7
IXYS
MUBW30-06A7
IXYS
MUBW30-12A6K
IXYS
MUBW35-06A6K
IXYS
MUBW35-12A7
IXYS
MUBW35-12A8
IXYS
MUBW40-12T7
IXYS
MUBW50-06A7
IXYS
MUBW50-06A8
IXYS
XCV300E-6FG256C
Xilinx Inc.
XC7S6-1FTGB196I
Xilinx Inc.
AFS250-1FG256
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C25U256C6
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5AGXBA7D4F27C5N
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5SGXEA7K2F35I2L
Intel
AX1000-2FGG676
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000UHC-4FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX30CF19C6N
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