maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / ISC1210BN82NM
Référence fabricant | ISC1210BN82NM |
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Numéro de pièce future | FT-ISC1210BN82NM |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ISC-1210 |
ISC1210BN82NM Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Non-Magnetic |
Inductance | 82nH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 460mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 450 mOhm Max |
Q @ Freq | 38 @ 50MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 900MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 50MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.095" (2.41mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210BN82NM Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ISC1210BN82NM-FT |
IHSM3825ER1R0L
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel