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Référence fabricant | IHSM3825ER150L |
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Numéro de pièce future | FT-IHSM3825ER150L |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IHSM-3825 |
IHSM3825ER150L Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | - |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 15µH |
Tolérance | ±15% |
Note actuelle | 1.29A |
Courant - Saturation | 1.11A |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 228 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Nonstandard |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.440" L x 0.250" W (11.18mm x 6.35mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.225" (5.72mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM3825ER150L Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IHSM3825ER150L-FT |
74479876222C
Wurth Electronics Inc.
74479775222
Wurth Electronics Inc.
74479775210
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74479774147
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74479775233
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel