maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR
Référence fabricant | IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | PSRAM |
La technologie | PSRAM (Pseudo SRAM) |
Taille mémoire | 64Mb (4M x 16) |
Fréquence d'horloge | - |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 70ns |
Temps d'accès | 70ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TC) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 54-VFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 54-VFBGA (6x8) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR-FT |
W988D2FBJX7E
Winbond Electronics
W988D2FBJX7E TR
Winbond Electronics
W989D2DBJX6I
Winbond Electronics
W989D2DBJX6I TR
Winbond Electronics
W25Q16DVUZIG TR
Winbond Electronics
GD25LQ32DNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
W25Q16FWUUIQ TR
Winbond Electronics
W25Q16JVUUIQ TR
Winbond Electronics
GD25LQ16CNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD25Q16CNIGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
XC2V3000-5FGG676I
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP3SL70F484I3N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
5SGXMB9R3H43C3N
Intel
XC5VSX240T-2FF1738CES
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation