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Référence fabricant | W989D2DBJX6I |
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Numéro de pièce future | FT-W989D2DBJX6I |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
W989D2DBJX6I Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Volatile |
Format de mémoire | DRAM |
La technologie | SDRAM - Mobile LPSDR |
Taille mémoire | 512Mb (16M x 32) |
Fréquence d'horloge | 166MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 15ns |
Temps d'accès | 5ns |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 1.7V ~ 1.95V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 90-TFBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 90-VFBGA (8x13) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W989D2DBJX6I Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | W989D2DBJX6I-FT |
W9412G6JH-5I
Winbond Electronics
W9412G6KH-4
Winbond Electronics
W9412G6KH-4 TR
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A1010B-VQG80C
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XC3S1600E-4FG400I
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XC3S5000-5FGG900C
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A40MX02-PL68
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XC4010E-3PC84I
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XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel