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ON Semiconductor IRLW610ATM

Name: IRLW610ATM
Brand: ON Semiconductor
SKU: IRLW610ATM
Availability: InStock
Rating: 4.6 (654 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRLW610ATM

quantité disponible: 87060 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: - MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRLW610ATM.pdf

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IRLW610ATM Caractéristiques

Référence fabricant	IRLW610ATM
Numéro de pièce future	FT-IRLW610ATM
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
IRLW610ATM Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 1.65A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	240pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.1W (Ta), 33W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	I2PAK (TO-262)
Paquet / caisse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLW610ATM Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRLW610ATM-FT

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