maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPS70R2K0CEE8211
Référence fabricant | IPS70R2K0CEE8211 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPS70R2K0CEE8211 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IPS70R2K0CEE8211 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | - |
La technologie | - |
Drain à la tension source (Vdss) | - |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | - |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | - |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Paquet / caisse | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPS70R2K0CEE8211 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPS70R2K0CEE8211-FT |
IPC95R750P7X7SA1
Infineon Technologies
IPD033N06NATMA1
Infineon Technologies
IPD046N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IPD050N10N5ATMA1
Infineon Technologies
IPD06P002NATMA1
Infineon Technologies
IPD06P003NATMA1
Infineon Technologies
IPD06P004NATMA1
Infineon Technologies
IPD06P005LATMA1
Infineon Technologies
IPD06P005NATMA1
Infineon Technologies
IPD06P007NATMA1
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel