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Infineon Technologies IRLS4030-7PPBF

Numéro de pièce MFG
IRLS4030-7PPBF
quantité disponible
10370 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRLS4030-7PPBF Caractéristiques

Référence fabricant IRLS4030-7PPBF
Numéro de pièce future FT-IRLS4030-7PPBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRLS4030-7PPBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 190A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9 mOhm @ 110A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 11490pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 370W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur D2PAK (7-Lead)
Paquet / caisse TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLS4030-7PPBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRLS4030-7PPBF-FT

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