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Référence fabricant | IRLS4030-7PPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRLS4030-7PPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRLS4030-7PPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 190A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9 mOhm @ 110A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 11490pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 370W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK (7-Lead) |
Paquet / caisse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLS4030-7PPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRLS4030-7PPBF-FT |
PMN80XP,115
Nexperia USA Inc.
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Xilinx Inc.
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