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Infineon Technologies IRLML6402TR

Numéro de pièce MFG
IRLML6402TR
quantité disponible
18400 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT-23
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRLML6402TR.pdf
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IRLML6402TR Caractéristiques

Référence fabricant IRLML6402TR
Numéro de pièce future FT-IRLML6402TR
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRLML6402TR Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 65 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 5V
Vgs (Max) ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 633pF @ 10V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1.3W (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur Micro3™/SOT-23
Paquet / caisse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLML6402TR Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRLML6402TR-FT

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