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IXYS IXTQ182N055T

Name: IXTQ182N055T
Brand: IXYS
SKU: IXTQ182N055T
Availability: InStock
Rating: 4.9 (606 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXTQ182N055T

quantité disponible: 68210 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: TrenchMV™ MOSFET N-CH 55V 182A TO-3P

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXTQ182N055T.pdf

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IXTQ182N055T Caractéristiques

Référence fabricant	IXTQ182N055T
Numéro de pièce future	FT-IXTQ182N055T
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	TrenchMV™
IXTQ182N055T Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	55V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	182A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	114nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4850pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	360W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-3P
Paquet / caisse	TO-3P-3, SC-65-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTQ182N055T Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXTQ182N055T-FT

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